本报讯（记者成舸 通讯员刘亚鹏）6月20日，国首我国电力电子行业迎来一个具备里程碑意思的块英光阴。当天上午，芯下线在来自电力、片湘交通等规模的资讯多位院士专家见证下，中国南车宣告由其自主妄想修筑的迷信国内首条、天下第二条8英寸IGBT业余芯片破费线在湖南株洲周全建成并即将投产；同时，国首一块编号为00001的块英IGBT芯片被中国科技馆永世珍藏。这标志着我国大功率电力电子技术的芯下线研制以及财富化取患上严正突破，突破外洋操作，片湘跻降生界一盛队列。资讯

中国工程院院士丁荣军介绍，迷信IGBT芯片技术从6英寸睁开到8英寸不光是国首量上的变更，更是块英“质”的飞跃，其突破了别致的芯下线元胞与呵护环妄想、高能质子异化、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载后退了50%，质料老本着落了20%，并修正了原有芯片破费方式。

由中国南车株洲所研制的这枚IGBT芯片，切面为圆形，充斥128个小芯片，每一块小芯片惟独指甲盖巨细，厚度仅两根头发丝，其外部搜罗了6万个以上被称为“元胞”的根基单元，可在数千伏低压下、约1秒光阴内实现数万次电流开关措施，将风能、太阳能等不晃动的能源输入转换为晃动的电流输入。

IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管，是用于电能转换以及操作的中间器件，被誉为电力电子行业的“心脏”以及今世变流工业“皇冠上的明珠”。今世电子技术睁开至今，发生了两个分支，一因此向微型化睁开的信息电子技术，以CPU为代表；二是向大功率睁开的电力电子技术，以IGBT等为代表。临时以来，我国IGBT芯片及相关产物99%以上依赖进口。

据清晰，中国南车会集上百位专家，积20余年之功，累计投入逾越3亿元，在IGBT芯片妄想、封装测试、坚贞性试验、零星运用上并吞了30多项严正难题，最终周全把握了该器件的成套技术，建树起残缺的IGBT规模化、业余化破费工艺系统，实现为了我国IGBT技术从弱到强的转变。

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